產品中心-LED芯片
Cree的Direct AttachTMSA1000TMLED是下一代固態LED發射器，將高效的InGaN材料與Cree的專有器件技術相結合，可為一般照明和汽車外部市場提供卓越的價值。SA1000 LED在低正向電壓的情況下是市場上最亮的LED，從而提供了一種非常明亮且高效的解決方案。壓焊焊盤向下的設計允許共晶管芯連接，無需引線鍵合，從而具有出色的性能，改善的熱管理和高可靠性。該設計最適合于行業標準的頂視圖包裝
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Cree的的EZBright (R) LED是下一代與Cree的專有的光學設計和設備技術結合了高效的InGaN材料來提供用于高強度LED優越值固態LED發射器。光學設計最大限度地提高了光提取效率，并實現了朗伯輻射圖。另外，這些LED可與導電環氧樹脂，焊膏或焊劑預成型件以及共晶方法進行管芯連接。這些垂直結構的低正向電壓LED芯片的高度約為170微米。Cree的EZ TM芯片已經過測試，符合光學和電氣規范。這些LED在廣泛的應用中很有用，例如普通照明，汽車照明和LCD背光。
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Cree的的EZBright (R) LED是最新一代與Cree的專有的光學設計和設備技術結合了高效的InGaN材料來提供用于高強度LED優越值固態LED發射器。光學設計最大限度地提高了光提取效率，并實現了朗伯輻射圖。EZTMLED可通過助熔劑共晶方法以及導電環氧樹脂，焊膏或焊劑預成型件進行連接。這些垂直結構的低正向電壓LED芯片可提供標準高度或減小的高度。Cree的EZ芯片經過測試，符合光學和電氣規范。這些LED在廣泛的應用中有用，包括汽車照明，可穿戴設備，視頻顯示器和LCD背光。
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Cree的低電流蘇佩布拉TM代II LED的Cree的結合高效的GaN專有go碳化硅(R) 襯底提供用于藍色LED的最終價格/性能。C430CB230-S2100專為汽車應用或對波長穩定性和芯片堅固性至關重要的任何應用而設計。
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Cree的MB代II系列MegaBright的(R) LED的結合高效的InGaN材料與Cree的專有go碳化硅(R)為高強度LED提供卓越的性價比。這些LED芯片具有幾何形狀增強的垂直芯片結構，以最大程度地提高光提取效率，并且僅需要單線鍵合連接。分類的模具套件可方便地將模具板分類為波長和輻射通量倉。Cree的MB系列芯片經過測試，符合光學和電氣規范，并具有承受1000V ESD的能力。這些LED在廣泛的應用中很有用，例如室外全動態LED視頻標牌，汽車照明和白色LED，但也可以在大容量應用中使用，例如LCD背光。Cree的MB系列芯片與大多數徑向和SMT LED組裝工藝兼容。
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Cree的RazerThin (R) LED是新一代與結合了高效的InGaN材料的固態LED發射器的Cree公司的專有go碳化硅(R)襯底提供用于高強度的藍色和綠色LED優越的價格/性能。這些垂直結構的LED芯片的高度約為95微米，并且需要低的正向電壓。Cree的RazerThin (R)系列芯片必須能夠承受1000V的靜電放電的能力。
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Cree的TRTMLED是最新一代的固態LED發射器，將高效的InGaN材料與Cree的專有器件技術和碳化硅襯底相結合，為LCD側視圖市場提供了卓越的價值。TR LED是側視市場中最亮的器件，同時具有低正向電壓，從而為0.4毫米，0.6毫米和0.8毫米側視市場提供了非常明亮和高效的解決方案。該設計最適合工業標準側面包裝，因為它可以與透明環氧樹脂模壓連接，并具有兩個頂部觸點，與工業標準包裝一致。
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Cree的超瘦TM的LED結合高效的InGaN材料與Cree的專有go碳化硅(R)襯底提供用于藍色LED優越的價格/性能。這些垂直結構的LED芯片尺寸小，并且需要低的正向電壓。Cree的UTTM系列芯片已經過測試，符合光學和電氣規范以及承受1000 V ESD的能力。應用包括需要小型化和更薄外形的鍵盤背光。
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