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產品中心-半導體元器件


主要產品特性：低正向電壓降、卓越的高溫穩定性、快速切換能力、符合歐盟RoHS的無鉛。

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主要產品特性：高速數據線的ESD保護國際電工委員會61000-4-2靜電放電接觸放電，典型8kV，最大15kVESD空氣放電，典型15kV，最大25kV表面貼裝、極低電容、極低泄漏電流、快速響應時間、雙向ESD保護。。

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主要產品特性：正向電壓降低、卓越的高溫穩定性、快速切換能力、后綴“G”表示無鹵素部件，例如CSP545SG-A。無鉛零件符合環境標準MIL-STD-19500/228。

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主要產品特性：低剖面表面安裝應用，以便優化董事會空間。低功耗，高效率。高電流能力，低正向壓降。超高速開關。硅外延平面芯片，金屬硅結。無鉛零件符合環境標準MIL-STD-19500/228

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主要產品特性：切換速度快。軸向引線式通孔設計裝置。密封玻璃。硅外延平面芯片結構。無鉛零件符合RoHS要求。

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主要產品特性：正向電壓降低、卓越的高溫穩定性、快速切換能力、符合歐盟RoHS的無鉛。

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主要產品特性：低導通和開關損耗、Vf上的正溫度系數、與溫度無關的開關行為、快速反向恢復、高浪涌電流能力、無鉛鉛電鍍。

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主要產品特性：P-on-N單向齊納管（6mil/9mil）（BVR=7V~10V、BVR=11V~15V、BVR=23V~40V、BVR=45V~65V）N開P單向齊納管（6mil/9mil）（BVR=7V~10V）NPN雙向齊納管（6mil/9mil）BVR（正向）=5V~7V。

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我們的專利

產品應用廣泛:Phone、Adaptor、PC Power、DVDPlayer Power Supply 、LED Lighting、LED TV。

Patent Location Patent NO
蕭特基二極體結構及其製造方法 R.O.C I226709
具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體 R.O.C I234289
蕭特基二極體及其製造方法 R.O.C I237901
蕭特基阻障二極體及其製造方法 R.O.C I263344
功率蕭特基整流裝置及其製造方法 CN 362744
具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體 CN 312861
蕭特基二極體結構及其製造方法 CN 449005
Two mask Schottky diode with locos structure USA 6,936,905
High switching speed two mask Schottky diode with high field breakdown USA 6,998,694
Schottky diode with high field breakdown and low reverse leakage current USA 6,825,073
Schottky barrier diode and method of making the same-Trench USA 7,064,408
Schottky barrier diode and method of making the same USA 7,078,780
Silicon carbide Schottky diode and method of making the same USA 7.368.371
High switching speed two mask Schottky diode with high field breakdown USA 7.491.633
Method of forming low forward voltage Schottky barrier diode with LOCOS structure therein USA 11/453,799

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